Graphit für Verbindungshalbleiter und LED

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Licht emittierende Dioden (LEDs) erhellen unseren Alltag in allen Farben und sind zudem effizient und energiesparend. Das Licht einer LED wird in Halbleiterverbindungen generiert. Mit der Qualität dieser Halbleiter steht und fällt die Leistungsfähigkeit von Leuchtdioden.

Verbindungshalbleiterschichten werden in Ofenkammern („Hot Zone“) im sogenannten MOCVD-Prozess hergestellt. Dabei herrschen extreme äußere Bedingungen beziehungsweise Temperaturen. Bei der Auskleidung der Ofenkammern kommt an mehreren Stellen unser Spezialgraphit zum Einsatz: Der rotierende Träger, auf dem die Wafer im Reaktor beschichtet werden, besteht aus isostatischem Graphit – nur dieser sehr reine, homogene Graphit wird den hohen Anforderungen des Beschichtungsprozesses gerecht.

Halbleiter

Graphitkomponenten mit höchster Reinheit sind unverzichtbar für viele Prozesse in der Halbleiter-, LED- und Solarindustrie. Hier reicht unser Angebot von Graphitbauteilen für Hot Zones von Kristallzüchtungsanlagen (Heizer, Stütztiegel, Isolationen) bis hin zu hochpräzisen Graphitkomponenten zur Wafer-Bearbeitung, wie Siliziumkarbid-beschichtete Graphit-Suszeptoren für Epitaxy- oder MOCVD-Anlagen.

Im Fertigungsprozess setzen viele Hersteller von LEDs und Halbleitern auf Anlagenteile aus St. Marys. Und zwar in Form von mit Siliziumkarbid (SiC) beschichteten Graphit-Trägerplatten, den so genannten Waferträgern, produziert von der SGL Carbon am US-Standort St. Marys.

Die Geschichte des Werks geht zurück bis ins Jahr 1899 – und trägt seit einigen Jahren die Digitalisierung von St. Marys aus in die Welt.

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