SiC-beschichtete Graphit-Suszeptoren von SGL Carbon
Unsere SiC-beschichteten Graphit-Suszeptoren für den Einsatz in der Silizium-Epitaxie überzeugen vor allem durch höchste Reinheit sowie homogene Beschichtung und exzellente Lebensdauer. Sie zeichnen sich zudem durch eine hohe chemische und thermische Beständigkeit aus.
Unser Leistungsversprechen
- Qualität und Erfahrung
Als vertikal integrierter Lieferant kontrollieren wir jeden Schritt des Prozesses vom Rohmaterial bis zum Endprodukt, um eine gleichbleibende Qualität und ein hochwertiges Produkt zu gewährleisten. - Rapid Prototyping
SGL Carbon hat in ein spezielles Rapid-Prototyping-Fertigungszentrum investiert, um eine schnelle Umsetzung von F&E-Teilen zu ermöglichen. Dies ermöglicht unseren Kunden eine schnellere Validierung neuer Suszeptor-Designs und die Einführung neuer Produktdesigns auf dem Markt. - Maßgeschneiderte Werkstoffe
Die Iso-Graphit-Typen SIGRAFINE 6510 und SIGRAFINE 6810 sind die etabliertesten und qualifiziertesten Typen für ASM-Suszeptoren und -Ringe. - Hochentwickelte Beschichtungen
Obwohl unsere Standard SIGRAFINE SiC-Beschichtung die beste ihrer Klasse ist, entwickeln wir mehrere proprietäre Beschichtungstechnologien für Pinhole-Resistenz und höhere Lebensdauer, um die Betriebskosten weiter zu verbessern. - Strengere Spezifikationen
SGL Carbon verfügt über eine eigene Technologie, um die engen Spezifikationen für Taschenprofil, Ebenheit, Oberflächengüte und Reinheit zu erfüllen. Unsere fortschrittlichen Prüfmöglichkeiten stellen sicher, dass diese Spezifikationen erfüllt werden. - Modellierungsfähigkeiten
Wir verfügen über fortschrittliche Modellierungsfähigkeiten, um die engsten Toleranzen und die Gleichmäßigkeit der Epi-Schichten zu erreichen. - Technischer Support
SGL Carbon verfügt über ein erfahrenes, engagiertes technisches Team, das mit Kunden zusammenarbeitet, um spezifische Herausforderungen zu lösen und die Leistung zu optimieren.
Wafer für die Silizium-Epitaxie
Ein Wafer muss mehrere Schritte durchlaufen, bevor er für den Einsatz in elektronischen Geräten bereit ist. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium-Epitaxie, bei der die Wafer auf Graphit-Suszeptoren getragen werden. Die Eigenschaften und die Qualität der Suszeptoren haben einen entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers.
Die Epitaxie wird verwendet, um die elektrischen Eigenschaften der Waferoberfläche präzise kontrolliert zu verbessern. Silizium-Epitaxie-Wafer sind die Grundlage aller fortschrittlichen Logikbausteine, Leistungselektronik und Mikro-Elektro-Mechanische-Systeme (MEMS)-Chips. Dem Markt für diese Anwendungen wird aufgrund der zunehmenden Funktionalitäten von Logikchips, Bildsensoren und Leistungselektronik für Automobilanwendungen eine stetige Wachstumskurve prognostiziert.
