Hohe Präzision
Unsere Siliziumkarbid (SiC)-beschichteten Suszeptoren unterstützen eine effiziente Fertigung von hochwertigen LED-Wafern mit geringer Wellenlängenabweichung. Hierzu tragen viele wichtige Faktoren bei, wie z. B. die sehr hohe Reinheit und die gleichmäßige Wärmeleitfähigkeit sowohl unseres isostatischen Graphits als auch der SiC-Beschichtung. Um die Leistung der SiC-Beschichtung für LED-Anwendungen zu optimieren, verwenden wir ausgesuchte Graphitsorten für unsere Suszeptoren und Träger.
Sowohl die hochpräzise mechanische Bearbeitung als auch die homogene Beschichtung sorgen für ein gleichmäßiges Profil der Wafer-Trägertaschen und für eine hohe Planheit der Suszeptoren. Dank umfassender Qualitätskontrollen entstehen lückenlos rückverfolgbare Produkte von gleichbleibend hoher Qualität.
Höhere Ausbeute bei minimierter Abweichung
In enger Kooperation mit Herstellern und Betreibern von MOCVD-Anlagen entwickeln wir unsere Materialien und Komponenten laufend weiter. Gemeinsam wollen wir die Chip-Ausbeute bei der Herstellung von LED-Wafern erhöhen und gleichzeitig die Wellenlängenabweichung minimieren.
Wir liefern neben Suszeptoren auch weitere Graphitbauteile für alle gängigen MOCVD-Reaktoren. Und nahezu jedes Bauteil kann SiC-beschichtet werden, selbst bei Durchmessern von mehr als einem Meter.
Auch bei der Entwicklung, Analyse und Optimierung Ihrer Produkte und Prozesse in der LED-Chip-Herstellung können wir Sie mit Engineering und Berechnung unterstützen.
Materialien
Innovative Spezialgraphit-Lösungen spielen für die anspruchsvollen Prozesse der Halbleiterherstellung eine entscheidende Rolle. Mit optimierten Anlagenkomponenten und Hochleistungswerkstoffen sind wir ein gefragter Partner führender Erstausrüster (OEM) und Halbleiterproduzenten.
Abgestimmt auf Ihre spezifischen Anforderungen identifizieren wir für Sie die jeweils beste Lösung aus unserem umfangreichen Spezialgraphit-Sortiment für die MOCVD-Epitaxie sowie weitere Anwendungen in der Halbleiter- und LED-Industrie:
