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Halbleiter-Kristall-Züchtung

Alle Prozesse zur Züchtung von Halbleiterkristallen arbeiten bei hohen Temperaturen in aggressiven Umgebungen - ob Czochralski (CZ) für Silizium, Heat Exchange-Methode (HEM) für Saphir oder Physical Vapor Transport (PVT) für SiC-Einkristalle. Deshalb sind die Hot Zones von industriellen Öfen zur Kristallzüchtung in der Regel mit hitze- und korrosionsbeständigen Graphitbauteilen ausgestattet.

SGL Carbon liefert aber nicht nur Build-to-Print-Teile: Unsere Experten stützen sich auf jahrzehntelange Erfahrung bei der Auswahl der besten Materialien mit höchster Reinheit, die in jede Art von Ofen zur Züchtung von Kristallen passen. Zusammen mit unserer Modellierungs- und Simulations-Abteilung bieten wir die thermomechanische und strömungstechnische Optimierung von Öfen aller Art an.

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